台积电、瑞萨扩大合作

更新时间：2012/5/29    |    阅读次数：920次

台积电与日本IDM厂瑞萨电子（Renesas）昨（28）日共同宣布，双方已经签署协议，扩大在微控制器（MCU）技术方面的合作至40奈米嵌入式快闪记忆体（eFlash）制程，以生产应用于下一世代汽车以及家电等消费性产品的微控制器。 　　 　　至于瑞萨是否出售鹤冈12吋厂予台积电，双方仍不予评论。而瑞萨对于外传可能进行超过1万名员工大规模裁员消息，则表示组织改革是必须进行的事，但目前为止并无决定任何具体计画。 　　 　　瑞萨是在去年底与台积电达成90奈米合作协议，瑞萨将采用台积电90奈米嵌入式快闪记忆体制程生产微控制器，此次则延伸合作内容，未来瑞萨将委托台积电生产40奈米微控制器，至于28奈米制程则列为未来的合作方向。 　　 　　此外，瑞萨及台积电也决定建立MCU平台与制造所需的先进技术，结合瑞萨电子支援高可靠性以及高速优势的金属氧化氮氧化矽（MONOS）制程技术，以及台积电先进的互补金属氧化物半导体（CMOS）制程及灵活的产能调度，未来台积电除了替瑞萨代工，也将可利用授权方式，提供MONOS制程平台给其它IC设计厂或IDM厂使用。 　　 　　瑞萨去年底成功开发的40奈米MCU晶片，已经在瑞萨那珂12吋厂中试产，目前制程尚未与台积电CMOS制程整合，不过，在双方达成合作协议后，瑞萨及台积电将开始进行制程整合，未来瑞萨MCU晶片除了在自有晶圆厂生产，也将委由台积电在竹科12吋厂Fab12中生产。 　　 　　瑞萨MCU事业本部长岩元伸一表示，根据去年历经日本大地震冲击多条生产线与客户业务之后所学习到的经验，瑞萨已经加快晶圆厂网路（FabNetwork）的布建，成为公司营运持续计画（BCP）之中的一环。 　　 　　而藉由此次的合作，双方也有共识，将建造一个能够为客户稳定供货的架构，瑞萨身为微控制器市场的领导厂商，亦将推动市场成长，为MCU打造一个设计生态环境。 　　 　　根据瑞萨以及台积电间的协议，采用90奈米嵌入式快闪记忆体制程MCU将在明年量产，40奈米MCU在2014年量产，而瑞萨总产能的委外代工比重，也将由去年的15％，至2016年增加一倍至30％。 [来源:工商时报]