在线咨询
 
产品搜索:
 
昊昱首页 关于昊昱 新闻中心 产品中心 研发中心 营销中心 合作伙伴 人力资源 联系我们
 
新闻中心
昊昱新闻
IC 动态
您现在的位置:首页 > 新闻中心 > IC 动态
 
三年内武汉将成为国内最大高端芯片生产基地
更新时间:2011/5/14    |    阅读次数:1537次
 
  2006年,湖北省、武汉市、东湖开发区三级政府出资,成立武汉新芯,建设中部地区首个12英寸集成电路晶片生产线,委托中芯国际经营管理。2008年9月,武汉新芯一期工程投产,总投资100亿元。去年10月底,中芯国际与代表省市政府的投资机构省科投,签订对武汉新芯的合资意向协议,日前正式签约。
  
  据中芯国际总裁兼首席执行官王宁国介绍,3—5年内,合资公司投资总额将达45亿美元,今后两年内,就将投入10亿美元。合资后的武汉新芯,主要生产40—65纳米的12英寸存储芯片,产品在国内外都居先进水平。至今年底,月产能由9000片迅速增至2万片。2014年初,可达到4.5万-5万片/月,届时,武汉新芯将成为国内最大高端芯片生产基地。

 
【打印】   |    【关闭】
 
 
下一则:创见:台湾DRAM产业缺乏技术根基 [2011/5/14]
上一则:武汉新芯年产能将达4.5万片 [2011/5/14]
 
 
武汉昊昱微电子股份有限公司   2025   版权所有   电话:027-82666619    鄂ICP备05003684号-1