面向高端市场：三星量产30nm制程内存

更新时间：2011/6/2    |    阅读次数：1341次

韩国三星公司近日宣布将开始量产基于30nm制程4Gb密度DDR3内存芯片的32GB内存条，这款内存条产品将主要面向云计算以及高档服务器应用。相比之前的40nm制程4GbDDR3产品,三星30nm制程4GbDDR3内存芯片的产出量可提升大约50%。 　　 　　在一年前启动40nm级别制程4GbDDR3内存芯片的量产后，三星于今年2月份已经开始量产30nm制程4Gb密度DDR3内存芯片产品，两个月之后的四月份，三星又推出了总容量16GB的DDR3内存条产品，这种产品主要面向面向服务器制造商。 　　 　　另外，不久前三星还刚刚推出了基于30nm制程4Gb密度的LPDDR2内存芯片产品（面向移动设备）。而本月三星又推出了基于30nm制程4Gb密度DDR3内存芯片的这款32GB总容量的带寄存器双线（RDIMM）内存条,以及8GB容量的笔记本用SODIMM内存条。其基于30nm制程内存芯片的产品线基本已经完备。 　　 　　三星这次推出的新款32GB容量RDIMMDDR3内存条额定工作电压1.35V，峰值数据传输率1866Mbits，性能比40nm制程32GBRDIMM内存条的1333Mbits（工作电压1.5V）提升了50%。另外，8GBSO-DIMMDDR3内存条的工作电压则为1.5V，峰值数据传输率为2133Mbits。 　　 　　据三星预计，2012年三星将有10%的内存芯片产品是基于4Gb及更高容量密度的芯片。 　　 　　据IHS市调公司的统计，4Gb内存芯片的销量到2012年的市场占有率将达到10%左右，1314年这个数字则将先后提升至35%和57%。 　　 　　 [来源:中关村在线]