PC DRAM前途茫茫　南亚科、力晶转攻利基型记忆体

更新时间：2011/10/21    |    阅读次数：1077次

美、日、台等DRAM第3季财报都亏损累累，纷纷都回避生产PCDRAM产品线，美光(Micron)日前公布的最新财报中，NANDFlash营收比重首度超过老本行DRAM，三星电子(SamsungElectronics)的PCDRAM比重也只剩下30%，南亚科和力晶交出第3季扩大亏损的成绩单，未来产品规划与PCDRAM渐行渐远；其中南亚科深耕云端资料中心的伺服器记忆体、Ultrabook等低电压记忆体，力晶则是宣示PCDRAM减产计划不变，晶圆代工投片量已攀升到5万片以上。 　　 　　PC市场需求完全看不到回升迹象，加上日前泰国洪水肆虐导致硬碟供应不顺等问题，间接影响DRAM后市需求，整个DRAM市场虽然在减产策略下报价止稳，但目前仍是充斥悲观面讯息居多。 　　 　　三星日前在台举行行动解决方案论坛中，也表示未来营运发展方向会朝行动装置和伺服器市场布局，明显不看好PCDRAM市场，且目前旗下标准型记忆体产能中已有70%转到非PC用DRAM产品上。 　　 　　南亚科第3季财报交出大亏的成绩后，也宣布要进一步转型为利基型记忆体供应商，目前利基性记忆体营收比重已占南科营收50%，出货量来看则接近40%。 　　 　　南亚科指出，全球资料中心伺服器需求大幅升温下，云端运算是?i期待的庞大商机，目前积极与ODM系统厂策略性合作，推出强调节能低功耗的伺服器专用DRAM模组，8GB1.35V的DDR31600和1333RDIMM产品预计于2011年第4季开始量产出货。 　　 　　南亚科进一步表示，除了云端运算之外，另一个商机是最近最热门的Ultrabook市场，在快速开机、随时连网、待机时间长、极省电等优势下，英特尔(Intel)已喊出2012年超轻薄笔电的渗透率上看40%，预期2013年渗透率更是超越60%，且Windows8作业系统结合IvyBridge平台=出，期望能刺激换机潮。 　　 　　针对Ultrabook市场对于低耗电和轻薄体积的需求，南亚科加速转进4Gb晶片生产，并推出1.35V的4GbDDR3工程样品，预计于11月下旬送至英特尔IvyBridge平台认证，目前规划是2012年第1季量产。 　　 　　此外，南科2011年推出的低耗电MobileRAM，目前也获记忆体控制晶片大厂认证完成，打入固态硬碟(SSD)行动产品供应链，未来在高阶平板电脑和电子书等行动装置市场方面，南亚科推出的四堆叠封装(QDP)和二堆叠封装(DDP)行动记忆体，都已进入送样和试产阶段。 　　 　　力晶方面，年初宣布转型为晶圆代工方向、退出PCDRAM品牌后，日前再度宣布PCDRAM减产和减少出货量50%。日前力晶重声减产策略会持续进行，要等到DRAM价格回升至合理水准，才会再考虑重启产能。 　　 　　再者，力晶目前晶圆代工占12吋晶圆厂投片量将可顺利增加至5片以上，转型为全方为代工厂和耕耘利基型产品的目标则持续。 　　 　　 [来源:DIGITIMES]