2大技術陣營紛挺進70奈米致勝溝槽、堆疊鬥法方興未艾力求技術領先奪市占DRAM產業。

 

      2大技術陣營鬥法至今仍方興未艾，堆疊式陣營幾個月前已率先將制程技術挺進至70奈米，讓原本深陷90奈米制程技術陰影的溝槽式陣營深感不是滋味，不過如今，在溝槽式陣營急起直追下，2大陣營再度對決，華亞科（3474）即表示，該公司目前決定跳過80奈米制程技術、直接挺進70奈米，而日前爾必達 （Elpida）亦決定採取此一模式。

 

      目前為止全球DRAM產業仍區分為溝槽式及堆疊式2大陣營，而如今像是三星電子（Samsung Electronics）、海力士（Hynix）、美光（Micron）、力晶（5346）、茂德（5387）等，均還是延用堆疊式技術，其餘如奇夢達 （Qimonda）、南亞科（2408）、華亞科、華邦電（2344），則為溝槽式大本營，而這2大陣營的競爭至今未見任何休止跡象。

 

      先前溝槽式陣營在進入90奈米制程技術階段，多少遭遇到良率提升瓶頸，以至於讓堆疊式陣營不斷放話，表示溝槽式陣營恐將被迫退出市場；但經過幾個月以來努力以赴，溝槽式陣營急起直追，包括華亞科、南亞科已決定直接跳過80奈米制程技術，進入到下世代的70奈米制程技術，而這樣的決定也讓原本市場上不斷傳出溝槽式陣營恐遭淘汰的傳聞不攻自破。

 

      華亞科總經理高啟全表示，先前確實有在討論將制程技術先提升到80奈米，而這樣的做法僅屬於「微縮」，而並非進入下世代制程技術，但經過充分內部研商以及與客戶間的溝通，已確定華亞科將不會進入到80奈米制程技術，而會直接挺進70奈米制程。

 

      事實上，日前爾必達與力晶也採取相同的模式，力晶董事長黃崇仁先前已表示，對於爾必達及力晶這個陣營來說，如要能夠領先別人，做到製造成本更低、且產出量更多的話，就必須要直接跳過80奈米制程技術，雖說這樣的做法當時對於2家公司而言，確實有些許壓力存在，但如果要能夠確保未來競爭力高人一等，必須選擇跳 過80奈米制程，選擇一舉跨入70奈米制程技術；也正因為溝槽式陣營同樣選擇跳過80奈米制程、直接進入70奈米，2大陣營之間的競爭，後續發展還有得瞧。DRAM廠為求勝出 放手一搏！制程技術領先成決勝不二法門。