BE-SONOS技术雏形已完成 明年生产测试 五至十年内量产,旺宏（2337）将跨入储存型闪存（NAND Flash）领域，已完成下世代NAND Flash产品可使用的「BE-SONOS」技术雏形，明年进入生产测试，最快五至十年内商业化量产。若往后「BE-SONOS」技术成为主流，可望为旺宏带来可观的技术授权收益。

 

      旺宏原本就具有编码型闪存（NOR Flash）设计与量产能力，结合新技术后， 将成为与三星、英特尔等大厂一样，横跨两大闪存业务的业者。随着新技术开发有成，加上既有产品抢搭「Wii」热卖题材，旺宏昨天股价表现强势，以涨停价14.45元作收，上涨0.9元。

 

      NAND Flash应用日广，尤其未来可望取代传统硬盘，商机为众家业者所期待，全球半导体巨擘英特尔不惜重资与DRAM大厂美光（Micron）合资成立「IM FLASH」，美光为了专心发展NAND Flash业务，已将DRAM本业暂时搁置。此外，包括力晶（5346）、茂德（5387）等DRAM大厂也都有意跨入这个市场，随着旺宏加入战局，未来NAND Flash市场大战将更激烈。

 

      旺宏表示，传统NAND Flash技术，在单位面积缩小，但储存密度增加下，随着制程微缩，数据之间的干扰状况愈来愈大，导致技术将面临瓶颈，也让数据储存可靠度大受影响。业界预期，传统技术在45奈米以下世代后，便会达物理极限，不再具制程微缩效益。

 

      旺宏指出，新开发的「BE-SONOS」技术雏形，藉由结构调整芯片底层氧化层能隙，能有效解决NAND Flash微缩至45奈米制程以下时，所面临的物理极限问题。旺宏规划，明年会先以75奈米制程的「BE-SONOS」技术，生产2Gb NAND Flash 测试芯片。

 

      旺宏表示，45奈米以下的NAND Flash技术尚未有主流规格，除旺宏钻研「BE-SONOS」外，三星也在积极开发另一种名为「TANOS」的技术。目前旺宏已为「BE-SONOS」申请41项专利中，未来若能成为业界主流规格，往后同业要生产相关产品都必须经旺宏授权，潜在的权利金收益可期。